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 Home > Technology > IC Substrate >  WB Bond Substrate Technology Roadmap
 
   
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SIP/CSP Substrate Technology Roadmap
 

Products Roadmap/ Development Schedule 
 
Category Item Current Capability By 2014 H2 By 2015 H1 By 2015 H2
Structure  Stacked Via 3+2+3 4+2+4 4+2+4 5+2+5
Coreless Single Layer/2 Layers 3 Layers 4 Layers 5 Layers
Embedded Pattern 2 Layers 3 Layers 4 Layers 5 Layers
Routing
Density
Line/Space(15um Cu) 20/20 um 15/15 um 12/12 um 10/10 um
BF Pitch/Top Width 80/40 um 75/40 um 70/35 um 65/30 um
C4 Pitch 150 um 140 um 130 um 120 um
Ball Pitch 350 um 325 um 300 um 275 um
Laser TH/Pad 80/180 um 75/150 um 65/140 um 60/120 um
Blind Via/Pad 75/150 um 65/125 um 60/100 um 55/85 um
Mech. TH/Pad 100/200 um 75/175 um 65/165 um 65/140 um
Min. SRO 75 um 70 um 65 um 60 um
S/R Registration +/-12 um +/-10 um +/-10 um +/-8 um
Material Min. Core 40 um 40 um 30 um 30 um
Min. PP 25 um 25 um 20 um 15 um
Material  HL832NS/HL832NSI/HL832NSF-LCA/E700G/ E705G/DS7409HGBLE/DS7409HGB(I)/Laz4785THG/Laz4785-THJ/E770LH
Solder Mask Wet Film: AUS5/303/308, AUS G2
Dry Film: AUS410/SR1/SR2
Surface Finish Ni/Au, Selective Ni/Au, ENEPIG, OS, AFOP, Etch-Back, Tailess

Updated Date: 2014/1/1